| 发明名称 | 形成电阻性电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成电阻性电极的方法，包括如下步骤：在n－型氮化物半导体层的表面上形成厚度为1～15纳米的铪层；在铪层上形成铝层；以及退火处理铪层和铝层，形成铪和铝混合在一起的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1416155A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
| 申请号 | CN02147948.8 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 笔田麻佑子;幡俊雄 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/45 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种形成电阻性电极的方法，包括如下步骤：在n-型氮化物半导体层的表面上形成厚度为1～15纳米的铪层；在铪层上形成铝层；以及退火处理铪层和铝层，形成铪和铝混合在一起的层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||