| 发明名称 | 低衬底损耗电感 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低衬底损耗电感，其由半导体集成电路技术所制造。该低衬底损耗电感包含一衬底，多个p型掺杂区及多个n型掺杂区，以交替的方式形成于该衬底内，一绝缘层，形成于该衬底的上方，以及一金属线圈，形成于该绝缘层上。该绝缘层隔离该金属线圈及该多个p型、n型掺杂区，且该多个p型、n型掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。 | ||
| 申请公布号 | CN1416145A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
| 申请号 | CN02154862.5 | 申请日期 | 2002.12.03 |
| 申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 游永杰 |
| 分类号 | H01F17/00;H01L27/01 | 主分类号 | H01F17/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种电感元件，其包含：一衬底；多个条状掺杂区，以p型、n型交替的方式形成于该衬底内；一绝缘层，形成于该衬底的上方；以及一金属线圈，形成于该绝缘层上；其中该绝缘层隔离该金属线圈及该多个条状掺杂区，且该多个条状掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县新店市 | ||