| 发明名称 | 用于氧化锆和氧化铪薄膜沉积的前驱体 | ||
| 摘要 | 一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法，其包括将ZCl<SUB>4</SUB>同H(tmhd)<SUB>3</SUB>溶剂和类如苯的烃溶剂混合，形成一种溶液(其中Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素)；将该溶液在氩气中回流12小时；藉助真空除去溶剂，从而产生一种固体化合物；将该化合物在0.1mm Hg的近真空状态和200℃下升华；还提出一种用于化学气相沉积方法的ZO<SUB>x</SUB>前驱体，其包括从包含ZCI(tmhd)<SUB>3</SUB>和ZCl<SUB>2</SUB>(tmhd)<SUB>2</SUB>在内的化合物组中选取的一种含Z化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1415782A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
| 申请号 | CN02148145.8 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 庄维佛;D·R·埃文斯 |
| 分类号 | C23C16/40;C23C16/448 | 主分类号 | C23C16/40 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法，其包括：将ZCl4同H(tmhd)3溶剂和烃溶剂混合形成一种溶液(其中，Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素)；在氩气中将该溶液回流12小时；藉助真空除去溶剂，从而产生一种固体化合物；以及在0.1mm Hg的近真空状态和200℃下使该化合物升华； | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||