发明名称 |
一种多层膜结构的半导体栅工艺处理方法 |
摘要 |
本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法,具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅,然后再生成一层浓度高的多晶硅,在沟槽全部填满后,再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅,然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整,以保证栅附近在回刻后不出现凹陷,使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低,减少回刻后沟槽中心的凹陷深度,使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一,第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度,可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。 |
申请公布号 |
CN1416154A |
申请公布日期 |
2003.05.07 |
申请号 |
CN02137736.7 |
申请日期 |
2002.10.31 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陶金龙;陆飞 |
主权项 |
1、一种多层膜结构的栅工艺处理方法,其特征在于,栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅,然后再生成一层浓度高的多晶硅,在沟槽全部填满后,再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅,然后进行回刻。 |
地址 |
201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号 |