发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 本发明的课题是降低室温条件下自更新时的消耗电流。在决定发出更新请求(PHY)的更新定时器(912)的工作电流的电流源(3)中,提供具有正温度依赖性的偏压BIAST,使得该电流源(3)的驱动电流具有正温度特性。由此,温度上升时,缩短更新定时器的更新周期的发出间隔,另外,在温度降低时,加长更新请求的发出间隔,降低室温下的更新的消耗电流。 | ||
申请公布号 | CN1416136A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
申请号 | CN02128262.5 | 申请日期 | 2002.08.07 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山内忠昭;冈本武郎;松本淳子 |
分类号 | G11C11/401;G11C11/406 | 主分类号 | G11C11/401 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 1.一种半导体存储器,该半导体存储器需要进行存储数据的更新,其特征在于:具备:发生具有温度依赖性的基准电压的基准电压发生电路;以及由上述基准电压发生电路发生的基准电压规定工作速度,激活时进行振荡工作,并且在每个规定的振荡次数发出请求上述更新的更新请求的更新请求发生电路。 | ||
地址 | 日本东京都 |