发明名称 透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池
摘要 透明导电膜前电极晶体硅太阳电池属于一种的新结构的光伏电池。其要点是用透明导电薄膜作前电极,来代替栅状前电极及减反射层。本发明的透明导电膜前电极是迭层结构,即先在已形成n-p结的硅基底上,制作厚度小于100nm的高电阻透明导电膜,然后按电导和减反射的要求制作厚度大于150nm的高电导透明导电膜。可使转换效率提高25-35%。制作成本比现有技术有所降低。
申请公布号 CN1416179A 申请公布日期 2003.05.07
申请号 CN01129013.7 申请日期 2001.10.31
申请人 四川大学 发明人 冯良桓;蔡亚平
分类号 H01L31/0224;H01L31/068 主分类号 H01L31/0224
代理机构 成都信博专利代理有限责任公司 代理人 刘金蓉
主权项 1.一种晶体硅太阳能电池,其结构为背电极/制有n-p结的晶体硅/前电极,其特征是前电极为透明导电膜前电极。
地址 610065四川省成都市一环路南一段24号
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