发明名称 | 透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池 | ||
摘要 | 透明导电膜前电极晶体硅太阳电池属于一种的新结构的光伏电池。其要点是用透明导电薄膜作前电极,来代替栅状前电极及减反射层。本发明的透明导电膜前电极是迭层结构,即先在已形成n-p结的硅基底上,制作厚度小于100nm的高电阻透明导电膜,然后按电导和减反射的要求制作厚度大于150nm的高电导透明导电膜。可使转换效率提高25-35%。制作成本比现有技术有所降低。 | ||
申请公布号 | CN1416179A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
申请号 | CN01129013.7 | 申请日期 | 2001.10.31 |
申请人 | 四川大学 | 发明人 | 冯良桓;蔡亚平 |
分类号 | H01L31/0224;H01L31/068 | 主分类号 | H01L31/0224 |
代理机构 | 成都信博专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘金蓉 |
主权项 | 1.一种晶体硅太阳能电池,其结构为背电极/制有n-p结的晶体硅/前电极,其特征是前电极为透明导电膜前电极。 | ||
地址 | 610065四川省成都市一环路南一段24号 |