发明名称 |
Método de preparar uma estrutura de eletrodo para uso em um capacitor de camada dupla, e, capacitor de camada dupla |
摘要 |
"MéTODO DE PREPARAR UMA ESTRUTURA DE ELETRODO PARA USO EM UM CAPACITOR DE CAMADA DUPLA, E, CAPACITOR DE CAMADA DUPLA". Um capacitor de camada dupla (Figura 1) inclui primeira (12) e segunda (14) estruturas de eletrodo separadas por um separador poroso cada uma incluindo uma folha coletora de corrente (22), um revestimento primário formado sobre a folha coletora de corrente, e um revestimento secundário formado sobre o revestimento primário. Os revestimentos primários incluem pó de carbono condutor (42), e os revestimentos secundários incluem pó de carbono ativado (44). Um método de preparação de estruturas de eletrodo inclui as etapas de: preparar uma primeira suspensão que inclui pó de carbono condutor e um aglutinante; aplicar a primeira suspensão para formar um revestimento primário; preparar uma segunda suspensão que inclui pó de carbono ativado, um solvente e um aglutinante, e aplicar a segunda suspensão no revestimento primário. |
申请公布号 |
BR0110763(A) |
申请公布日期 |
2003.05.06 |
申请号 |
BR20010110763 |
申请日期 |
2001.05.11 |
申请人 |
MAXWELL TECHNOLOGIES, INC. |
发明人 |
CHENNIAH NANJUNDIAH;RICHARD BRAUN;RAYMOND T. E. CHRISTIE;C. JOSEPH FARAHMANDI |
分类号 |
H01G11/32;H01G9/00;H01G9/02;H01G11/34;(IPC1-7):H01G7/00 |
主分类号 |
H01G11/32 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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