| 主权项 |
1.一种在沟渠中形成沟衬的方法,其中该沟衬在沟渠的顶部和底部具有圆的弯角,该方法包括藉由快速热氧化形成沟衬。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中快速热氧化是湿式快速热氧化制程。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中快速热氧化系在约900℃至约1300℃的温度实行。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中快速热氧化系在约1050℃至约1200℃的温度实行。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中沟衬具有一最高达约500埃的厚度。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中沟衬具有约40埃至约500埃的厚度。7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中沟衬具有约225埃至约450埃的厚度。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中实行快速热氧化少于3分钟。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中实行快速热氧化约1秒至约3分钟。10.如申请专利范围第1项所述的方法,其中实行快速热氧化约20秒至约1分钟。11.如申请专利范围第1项所述的方法,其中沟渠为浅沟渠。12.如申请专利范围第11项所述的方法,其中浅沟渠具有一最高达约0.5微米的深度。13.如申请专利范围第1项所述的方法,其中尚包括在快速热氧化后用绝缘材料填充沟渠。14.如申请专利范围第13项所述的方法,其中隔离物系为矽氧化物。15.如申请专利范围第13项所述的方法,其中隔离物来自正矽酸四乙酯(TEOS)。16.如申请专利范围第1项所述的方法,其中快速热氧化是湿式快速热氧化制程,温度为约1050℃至约1200℃且沟衬具有约225至约450埃的厚度。17.一种包括一具有沟衬的沟渠之结构,该沟衬在沟渠的顶部和底部包括圆的弯角,该结构系藉由快速热氧化获得。图式简单说明:图1-4是藉由本发明的方法获得的沟衬沟渠之SEM(扫描电镜)照片;以及图5-13是在各制造阶段中根据本发明的结构之示意图。 |
