研磨体、研磨装置、研磨方法、以及半导体元件之制造方法

摘要

用于CMP装置之无发泡材所构成的硬质研磨垫。发泡树脂所构成的硬质研磨垫，虽图案的落差消除效果良好，但有易刮伤晶圆的倾向，又其研磨速度也有比发泡聚氨酯构成的研磨垫来得低之倾向。本发明的研磨垫，其表面系采螺旋槽或同心圆槽和格子槽的组合，没有未达2度之槽交叉角，且在其表面没有曲率半径50μm以下的端部。藉此，由于没有毛边的产生，不致刮伤被研磨对象物，且能提高研磨速度。

主权项

1.一种研磨体,使用该研磨体之研磨装置,系在研磨体和研磨对象物间介入研磨剂的状态下,藉由使研磨体和研磨对象物相对移动,以对研磨对象物实施研磨;其特征在于:其表面上形成有槽,该槽之表面上的宽度W为0.1mm≦W≦2.0mm,相对于包含槽形成区域之研磨体的体积,槽形成区域的体积比例VL为0.1%≦VL≦30%,相对于不含槽形成区域之研磨体的体积,是以发泡之空孔区域为20%以下的材料来形成。2.如申请专利范围第1项之研磨体,其厚度D为0.5mm≦D≦5.0mm。3.如申请专利范围第1项之研磨体,其中前述槽的深度为其宽度W之至多3倍。4.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,其中前述槽的形状,系择自螺旋状、同心圆状、格子状、三角格子状、网眼状、无规状所构成群中之至少一种形状。5.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,其中前述槽的截面形状,系具有曲率之矩形、V字形或多角形。6.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,其中前述材料之压缩弹性模数K为0.1GPa≦K≦2.0GPa。7.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,其中前述材料的主成分,系择自环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、无发泡聚氨酯树脂所构成群中之至少一种树脂。8.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,系在表面上进一步形成用以供给及排出研磨剂之槽,该研磨剂用槽系前述槽的一部分,或有别于前述槽所另行形成出的槽。9.如申请专利范围第1-3项中任一项之研磨体,其至少一部分具备透明的区域。10.一种研磨装置,系在研磨体和研磨对象物间介入研磨剂的状态下,藉由使研磨体和研磨对象物相对移动,以对研磨对象物实施研磨;其特征在于:所使用的研磨体是申请专利范围第1-9项中任一项之研磨体。11.一种研磨体,使用该研磨体之研磨装置,系在研磨体和研磨对象物间介入研磨剂的状态下,藉由使研磨体和研磨对象物相对移动,以对研磨对象物实施研磨;其特征在于:在表面上以周期性或非周期性的方式形成至少2种不同的凹凸构造。12.如申请专利范围第11项之研磨体,在形成同种的凹凸构造之区域内,该凹凸构造的凹凸及凸部各形成至少2个。13.如申请专利范围第12项之研磨体,其中前述凹凸构造系由第1凹凸构造及第2凹凸构造所构成,第1及第2凹凸构造的凹部成为槽,第1凹凸构造的凸部宽度为第2凹凸构造的凸部宽度之至少2倍。14.如申请专利范围第11-13项中任一项之研磨体,平面形状为圆形且形成同种的凹凸构造之区域,系配置成同心圆状。15.如申请专利范围第11-13项中任一项之研磨体,形成同种的凹凸构造之区域,系配置成格子状。16.如申请专利范围第11-13项中任一项之研磨体,系在表面进一步形成用以供给及排出研磨剂之槽。17.如申请专利范围第11-13项中任一项之研磨体,其维氏硬度k为2.5(kgf/mm2)