| 主权项 |
1.一种凸块制程,包括:提供一基材,该基材上具有复数个焊垫;形成一球底金属层,该球底金属层包括一镍-钒合金层以及至少一导体层;形成复数个凸块于该些焊垫上方之该球底金属层上;以及以一蚀刻剂蚀刻该些凸块以外之该镍-钒合金层,该蚀刻剂之组成包括硫酸以及去离子水。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该导体层之材质系选自于由铝、钛、钛-钨合金、铬、金银以及铜所组成之族群。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些焊垫系为铝垫。4.如申请专利范围第3项所述之凸块制程,其中该球底金属层包括铝/镍-钒合金/铜、钛/镍-钒合金/铜、钛-钨合金/镍-钒合金/铜,以及铬/镍-钒合金/铜其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些焊垫系为铜垫。6.如申请专利范围第5项所述之凸块制程,其中该球底金属层包括钛/镍-钒合金/铜、钛-钨合金/镍-钒合金/铜,以及铬/镍-钒合金/铜其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些凸块的形成方法包括:形成一光阻于该球底金属层上,该光阻具有复数个开口,其中该些开口系对应于该些焊垫;将一焊料填入该些开口中;以及剥除该光阻。8.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该蚀刻剂中硫酸的浓度系介于0.5%至50%之间。9.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中以该蚀刻剂蚀刻该镍-钒合金层时,更包括下列步骤:提供一电解槽,该电解槽中配置有该蚀刻剂;提供一阳极与一阴极;将该基材配置于该阳极上;以及提供一偏压于该阳极与该阴极之间,藉由该电解槽中的电解反应控制该镍-钒合金层被蚀刻的速率。10.一种凸块制程,包括:提供一基材,该基材上具有复数个焊垫;形成一球底金属层,该球底金属层包括至少二导体层,其中该些导体层之材质系选自于由铝、铜以及镍-钒合金所组成之族群;形成复数个凸块于该些焊垫上方之该球底金属层上;以及以一蚀刻剂蚀刻该些凸块以外之该镍-钒合金层,该蚀刻剂之组成包括硫酸以及去离子水。11.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该些焊垫系为铝垫。12.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该球底金属层包括铝/镍-钒合金/铜。13.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该些凸块的形成方法包括:形成一光阻于该球底金属层上,该光阻具有复数个开口,其中该些开口系对应于该些焊垫;将一焊料填入该些开口中;以及剥除该光阻。14.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中该蚀刻剂中硫酸的浓度系介于0.5%至50%之间。15.如申请专利范围第10项所述之凸块制程,其中以该蚀刻剂蚀刻该球底金属层时,更包括下列步骤:提供一电解槽,该电解槽中配置有该蚀刻剂;提供一阳极与一阴极;将该基材配置于该阳极上;以及提供一偏压于该阳极与该阴极之间,藉由该电解槽中的电解反应控制该球底金属层被蚀刻的速率。图式简单说明:第1图绘示为习知凸块制程的方块流程图;第2图至第6图绘示为依照本发明一较佳实施例凸块制程的流程剖面示意图;以及第7图绘示为依照本发明一较佳实施例以电解反应控制蚀刻剂对球底金属层的蚀刻速率。 |
