发明名称 SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH REDUCED CAPACITIVE COUPLING BETWEEN COMPONENTS
摘要 <p>Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat (10), eine Baulementschicht (18), die an einer Oberfläche (12) des Substrats (10) angeordnet ist, einen Bipolar-Transistor (30a) und ein Halbleiter-Bauelement (30b), die in der Bauelementschicht (18) angeordnet sind, und einen Isolierbereich (60, 62, 64, 66, 68), der an den Bipolar-Transistor (30a) und das Halbleiter-Bauelement (30b) angrenzt, einen Zwischenraum (102) zwischen dem Bipolar-Transistor (30a) und dem Halbleiter-Bauelement (30b) vollständig einnimmt und ein elektrisch isolierendes Material aufweist.</p>
申请公布号 WO2003036724(A2) 申请公布日期 2003.05.01
申请号 EP2002009703 申请日期 2002.08.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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