| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt eine Halbleiterspeichervorrichtung bereit, umfassend: DOLLAR A zumindest ein Speicherzellenfeld mit einer Vielzahl von Datenleitungen, DOLLAR A eine Vielzahl von lokalen Verstärkern zum Verstärken von zu und/oder von dem Speicherzellenfeld übertragenen Signalen, DOLLAR A wobei die Vielzahl von lokalen Verstärkern mit der Vielzahl von Datenleitungen signalverbindbar ist, jedem Verstärker genau eine Datenleitung eineindeutig zugeordnet ist und jeweils mindestens zwei Verstärker und die dazugehörigen Datenleitungen eine Gruppe bilden, DOLLAR A wobei jeder Verstärker zumindest zwei Auswahltransistoren umfaßt zum Auswählen eines Verstärkers aus einer Gruppe von Verstärkern, DOLLAR A wobei die zumindest zwei Auswahltransistoren eines Verstärkers jeweils zwei eigene Diffusionsgebiete und ein gemeinsames Gatter umfassen, und DOLLAR A wobei benachbarte Auswahltransistoren von benachbarten Verstärkern ein Diffusionsgebiet gemeinsam nutzen.
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