| 发明名称 | 电流检测型读出放大器 | ||
| 摘要 | 一种高速读出放大器，其保证高的集成度并可抑制能耗的上升及即使在高集成度情况下速度的降低。与一静态型RAM的存储单元的数据相连接的成对位线通过MOS晶体管与一对共用数据线相连，一对双级晶体管的发射极端与数据线相连而作为读出放大器的信号输出端与集电极端通过电阻与第一电源相连，基极端与第二电源相连。另外，一对用于向读出放大器提供电流的电阻元件与双极晶体管的发射极端相连。 | ||
| 申请公布号 | CN1107337C | 申请公布日期 | 2003.04.30 |
| 申请号 | CN98102509.9 | 申请日期 | 1998.06.17 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 佐藤政春 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种用于静态型RAM的电流检测型的读出放大器，其特征在于：一对与静态型RAM存储单元(1)连接的位线(B1，B1B)通过一对MOS晶体管(MR1，MR2)与一对用于用于读出的共用数据线(D1，D2)连接，所述共用数据线对(D1，D2)与一对双极晶体管(Q1、Q2)的发射极端连接，从而使所述共用数据线对(D1，D2)和所述位线对(B1，B1B)具有相同的电位，所述双极晶体管对(Q1，Q2)的集电极端起着信号输出端的作用，所述信号输出端通过电阻(R1，R2)分别与第一电源(V1)连接，同时所述双极晶体管对(Q1，Q2)的基极端与第二电源(V2)连接，并且所述双极晶体管对(Q1，Q2)的发射极端与稳流电阻对(IC1，IC2)连接。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||