发明名称 掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法
摘要 本发明属于微波通信技术领域,涉及掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法。包括:在一块厚金属平板上挖出一个槽,将滤波器放置在所说的槽中;在一块滤波器相同的金属薄片上切割出两条窄缝,其位置与滤波器上两条馈线的位置相同,尺寸与所需制作的接触电极的相一致;将金属薄片放置在该槽内的滤波器上,使滤波器的馈线上需制作的接触电极的部分暴露在窄缝中,用压片固定该金属薄片;将所述装有滤波器和金属薄片的厚金属板放入真空室,镀上金属膜;取出滤波器,放入通氧的装置中退火,然后冷至室温;得到制有金属接触电极的滤波器。本发明可省去蚀刻的烦琐步骤,避免损害超导膜或金属层;制作过程简单易行,并为后续外引线的接入提供清洁表面。
申请公布号 CN1414657A 申请公布日期 2003.04.30
申请号 CN02156894.4 申请日期 2002.12.20
申请人 清华大学 发明人 张晓平;赵永刚;王玉梅;姚克贤;曹必松
分类号 H01P1/20;H01P11/00 主分类号 H01P1/20
代理机构 北京清亦华专利事务所 代理人 廖元秋
主权项 1、一种高温超导滤波器接触电极的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在一块厚金属平板上挖出一个槽,该槽长度和宽度比滤波器至少各大0.1mm,深度比滤波器厚度至少高0.1mm;(2)将滤波器放置在所说的槽中;(3)在一块尺寸和滤波器相同,厚度为0.1mm到0.2mm的金属薄片上切割出两条窄缝,两条窄缝位置与滤波器上两条馈线的位置相同,尺寸与所需制作的接触电极的相一致;(4)将所述切有窄缝的金属薄片放置在该槽内的滤波器上,使滤波器的馈线上需制作接触电极的部分暴露在窄缝中,用压片固定该金属薄片;(5)将所述装有滤波器和金属薄片的厚金属板放入真空室,镀上金属膜;(6)取出滤波器,放入通氧的装置中退火,然后冷却至室温;得到制有金属接触电极的滤波器。
地址 100084北京市海淀区清华园清华大学