| 发明名称 | 通过形成带有半球状硅的硅电极来制造电容器的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造电容器的方法，其中至少一部分硅表面是非晶化的。接下来将非晶化的硅表面进行退火处理，从硅表面的非晶化部分形成半球状硅颗粒(HSG)，从而形成电容器的至少一部分第一电极。接下来在半球状硅颗粒之上形成电容器介质。然后在电容器介质之上形成第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1415113A | 申请公布日期 | 2003.04.30 |
| 申请号 | CN00817875.5 | 申请日期 | 2000.10.13 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | H·H·图斯;B·李 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑立柱;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造电容器的方法，包括：提供一个硅表面，非晶化至少一部分硅表面，将非晶化了的硅表面进行退火处理，从硅表面非晶化了的部分形成半球状硅颗粒，形成电容器第一电极的一部分，在半球状硅颗粒之上形成电容器介质，以及在电容器介质之上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||