| 发明名称 | 磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其是先以临场的方式在基底上磊晶成长一层氧化镧镍薄膜，其晶型与所需的锆钛酸铅薄膜相同，且晶格参数与所需的锆钛酸铅薄膜相近。接着以临场的方式，在350℃～500℃的温度下，在氧化镧镍薄膜上磊晶成长锆钛酸铅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1414149A | 申请公布日期 | 2003.04.30 |
| 申请号 | CN01136690.7 | 申请日期 | 2001.10.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | C30B23/08;C30B29/32;H01L21/203;H01L21/363 | 主分类号 | C30B23/08 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其特征为：包括下列步骤：提供一基底；以临场(in-situ)的方式，使用溅镀法在该基底上磊晶成长一氧化镧镍(LNO)薄膜；以及以临场的方式，并在350℃～500℃的温度下，使用溅镀法于该氧化镧镍薄膜上磊晶成长一锆钛酸铅(PZT)薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||