发明名称 |
测试阵列与测试存储阵列的方法 |
摘要 |
测试阵列(100,200)包含行导体(110,210),列导体(120,220)和位于行导体与列导体交点上的存储单元(130,230)。测试阵列(100,200)可使成组(124,214,224)的行导体(110,210)或列导体(120,220)电耦合或联接起来,以便它们可以共享公共端(216,226)。其它所选行和列导体可拥有单独端点(112,122,212,222)。在这种配置中,使用测试装置可以测量出存储单元(130,230)的特性,该存储单元位于拥有单独端点(112,122,212,222)的行导体与列导体的交叉点。将成组的行、列导体联接起来意味着测试阵列(100,200)可使用更少用来与测试装置连接的端点。因此,拥有有限数目的与测试阵列端点连接的探头的测试装置可用于测试各种各样规模的测试阵列(100,200)。 |
申请公布号 |
CN1414619A |
申请公布日期 |
2003.04.30 |
申请号 |
CN02147054.5 |
申请日期 |
2002.10.25 |
申请人 |
惠普公司 |
发明人 |
L·T·特兰 |
分类号 |
H01L21/66;H01L27/00;G01R31/28 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
栾本生;张志醒 |
主权项 |
1.一个测试阵列(100,200)包含:多个第一导体(120,210,220),包含:至少一组(124,214,224)的第一导体(120,210,220),其中组(124,214,224)中第一导体(120,210,220)与组(124,214,224)中公共端(126,216,226)电耦合和至少一个第一导体(120,210,220)与端点(122,212,222)耦合;多个第二导体(110,210,220)和多个位于第一、第二导体交点上的存储单元(130,230)。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |