发明名称 半导体器件生产装置及生产方法
摘要 在一种半导体器件器件生产方法中,在非晶硅膜上生长半球形晶粒,用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片,或用过氧化氢盐酸水溶液,然后,浸入稀氢氟酸中,此后,用清水对其清洗,然后,用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。
申请公布号 CN1107338C 申请公布日期 2003.04.30
申请号 CN98125161.7 申请日期 1998.11.30
申请人 日本电气株式会社 发明人 中森雅治;本间一郎
分类号 H01L21/00;H01L21/302 主分类号 H01L21/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1、一种用于制造半导体器件的生产装置,其中所述半导体器件在晶片的非晶硅膜上具有生长晶粒,所述装置包含:氢氟酸处理箱,其具有稀释的氢氟酸溶液,用于去除所述晶片表面上形成的化学氧化膜;清洗箱,其中具有纯水,用于去除附着在所述晶片表面上的氢氟酸溶液;干燥器,用于去除所述晶片表面的纯水;不透气的密封室,其中放置氢氟酸处理箱、所述清洗箱和所述干燥器;及用于向所述室中提供惰性气体的装置;其特征在于:所述干燥器在所述晶片表面上形成所述晶粒前用异丙基乙醇对已进行湿处理的所述晶片进行干燥。
地址 日本国东京都
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