| 发明名称 |
Transistor structures including separate anti-punchthrough layers and methods of forming same |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
GB0306735(D0) |
申请公布日期 |
2003.04.30 |
| 申请号 |
GB20030006735 |
申请日期 |
2003.03.24 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
|
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
