Halbleiterspeichervorrichtung

摘要

Eine Halbleiterspeichervorrichtung (10) mit Speicherbankumschaltung weist mehrere Speicherfeldbänke (1A, 1B, 1C, 1D) auf, die auf einem Speicherchip bereitgestellt sind, die zur Speicheroperation von einer zur anderen geschaltet werden können. Die Halbleiterspeichervorrichtung enthält: mehrere Speicherfelder in den Speicherfeldbänken; eine Eingangs-/Ausgangsschaltung (4) zum Übertragen der Informationsdaten zwischen den Speicherfeldern und dem Äußeren; einen Datenbus (2) zum Verbinden der Speicherfelder und der Eingangs-/Ausgangsschaltung; und n-Kanal Transistoren, die über den Datenbus bereitgestellt sind. Der Datenbus besteht aus mehreren angrenzenden Leitungen. Jeder der n-Kanal Transistoren ist an seiner Drain an die entsprechenden Leitungen des Datenbusses angeschlossen, während er an seiner Source an Masse angeschlossen ist. Wenn ein Multi-Bit-Test zum Schreiben und Lesen von Daten auf die Speicherfelder begonnen wird, werden die n-Kanal Transistoren eingeschaltet, um die Leitungen des Datenbusses mit der Masse zu verbinden.