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Die Erfindung bezieht sich auf einen Ausgangsschaltkreis eines integrierten Schaltkreisbauelements, ein Verfahren zur Herstellung desselben sowie auf ein zugehöriges Halbleiterbauelement. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet der Ausgangsschaltkreis einen ersten und einen zweiten MOS-Transistor (N1, N2) mit jeweiligen voneinander beabstandeten Paaren von Source- und Drain-Bereichen in einem Substrat, die derart angeordnet sind, dass ein erster und ein zweiter Kanal des ersten und des zweiten MOS-Transistors lateral zueinander versetzt sind, einen Isolationsbereich (FOX) in dem Substrat, der zwischen dem ersten und dem zweiten MOS-Transistor angeordnet ist, einen ersten Leiter (79, 80), der den Source-Bereich des ersten MOS-Transistors mit einem Leistungsversorgungsknoten (VSS) verbindet, einen zweiten Leiter (81, 82, 83), der den Drain-Bereich des ersten MOS-Transistors mit dem Source-Bereich des zweiten MOS-Transistors verbindet, und einen dritten Leiter (77, 78), der den Drain-Bereich des zweiten MOS-Transistors mit einer externen Signal-Kontaktstelle (PAD) des integrierten Schaltkreisbauelements verbindet. DOLLAR A Verwendung in der integrierten Halbleiterschaltungstechnik.
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