| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum selektiven galvanischen Beschichten von Metalloberflächen, beschrieben, bei dem zunächst die nicht zu beschichtenden Oberflächenbereiche durch berührungsloses Aufbringen eines flüssigen Dielektrikums maskiert und anschliessend die nicht maskierten Oberflächenbereiche galvanisiert werden. Das Dielektrikum wird hierbei in feinsten Tröpfchen (14) mit im wesentlichen gleicher Tröpfchengrösse zwischen 3 und 70 Mikrometer und mit einer Konturenschärfe kleiner gleich 80 Mikrometer sehr präzise aufgebracht, wobei die Tröpfchen (14) zunächst elektrisch aufgeladen und dann beim Aufbringen durch ein elektrisches Feld bedarfsgerecht gesteuert werden. Das Dielektrikum kann hierbei sowohl in zumindest einem durchgehenden unterbrechungsfreien Streifen (16) als auch gesteuert diskontinuierlich aufgebracht werden, so dass sich insbesondere bei flachen, flachgestanzten oder formgestanzten Metaalbändern (10) Maskierungsschichten (16) nahezu beliebiger Gestalt erzeugen lassen. Nach erfolgter Galvanisierung wird das aufgebrachte Dielektrikum (16) in einer wässrigen Lösung mit mikrodispersen Zuschlagsstoffen wieder rückstandsfrei entfernt. Es wird auch ein Galvanisierungsystem zur Durchführung dieses Verfahrens beschrieben.</p> |
