| 发明名称 | 高频半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种高频半导体装置，包括：陶瓷基片，包含装于所述陶瓷基片下部的半导体元件与无源元件的元件群，以及为将所述元件群埋没而在所述陶瓷基片下部形成的复合树脂材料层。所述复合树脂材料层由包含环氧树脂与无机充填物的复合树脂材料形成，所述复合树脂材料层的下面呈平坦状，且有外部连接电极形成。采用如射频模块那样的具有接收与发送系统一体化结构的封装，在小型化、高安装密度及散热性等方面性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN1412838A | 申请公布日期 | 2003.04.23 |
| 申请号 | CN02147355.2 | 申请日期 | 2002.10.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 竹原秀树;吉川则之;金泽邦彦;中谷诚一 |
| 分类号 | H01L23/29;H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/29 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种高频半导体装置，包括：陶瓷基片，包含装于所述陶瓷基片下部的半导体元件与无源元件的元件群，以及为将所述元件群埋没而在所述陶瓷基片下部形成的复合树脂材料层；其特征在于：所述复合树脂材料层由包含环氧树脂与无机充填物的复合树脂材料形成，所述复合树脂材料层的下面呈平坦状，且有外部连接电极形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||