| 发明名称 | 沉积制程的工作平台 | ||
| 摘要 | 一种进行Ti/TiN薄膜沉积制程的工作平台，包括有：一物理气相沉积(physical vapor deposiTion，PVD)真空反应室；至少一金属有机化学气相沉积(metal－organic chemical vapor deposiTion，MOCVD)真空反应室；以及一无线电波波频(radio frequency，RF)处理反应室；其中RF处理反应室可以取代MOCVD真空反应室的等离子处理制程，以增加工作平台的产量。 | ||
| 申请公布号 | CN1412350A | 申请公布日期 | 2003.04.23 |
| 申请号 | CN01136241.3 | 申请日期 | 2001.10.11 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 林沧荣;黄昭元 |
| 分类号 | C23C28/00 | 主分类号 | C23C28/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种沉积制程的工作平台，其特征是：包括有：一物理气相沉积(physical vapor deposiTion，PVD)真空反应室；至少一金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapordeposiTion，MOCVD)真空反应室；一无线电波波频(radio frequency，RF)处理反应室。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||