| 发明名称 | 大电流雪崩和注入隧穿半导体－介质－金属稳定冷发射极 | ||
| 摘要 | 冷电子发射极(200、200－1、200－2)包括p型重掺杂的半导体(230)、介质层(245)及金属层(240)(p－D－M结构)。此结构的改进包括p区(230)下方的n+型重掺杂区(220)(n+－p－D－M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于在跨越介质层(245)的一定电压降下对于积累在介质层(245)附近p区(230)内耗尽层中的准平衡“冷”电子，实现了有效的负电子亲和性，能够得到大电流密度。由于p－D－M结构中的雪崩或n+－p－D－M结构中的注入过程而产生这些电子。这些发射极由于利用真空区中较低的抽取电场而很稳定，且不受来自被加速离子的沾污和吸收的影响。这些结构可用现有技术工艺来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1412806A | 申请公布日期 | 2003.04.23 |
| 申请号 | CN02147577.6 | 申请日期 | 2002.10.14 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | V·V·奥斯波夫;A·M·布拉特科夫斯基;H·比雷基 |
| 分类号 | H01J1/308;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/308 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种电子发射极(200、200-1、200-2)，它包含：p区(230)；制作在所述p区(230)上的介质层(245)；以及制作在所述介质层(245)上的金属层(240)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||