| 发明名称 | 高效能栅极氮化物只读存储器的结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种高效能栅极氮化物只读存储器的结构。本结构包含隧道(tunnel)氧化层在底材上，接着，非晶硅层在隧道氧化层上，再者，多晶硅锗层在非晶硅层上，然后，内多晶硅介电层在多晶硅锗层上。最后，多晶硅层在内多晶硅介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1412858A | 申请公布日期 | 2003.04.23 |
| 申请号 | CN01135825.4 | 申请日期 | 2001.10.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张国华;邱珍元 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/112 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种在底材上的栅极结构，该栅极结构包含：一隧道氧化层，在该底材上；一非晶硅层，在该隧道氧化层上；一多晶硅锗层，在该非晶硅层上；一内多晶硅介电层，在该多晶硅锗层上；及一多晶硅层，在该内多晶硅介电层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||