| 发明名称 | 具有负电子亲和性的注入冷发射极 | ||
| 摘要 | 冷电子发射极(200、200－1、200－2、200－3、200－12、200－13)可以包括n+重掺杂的宽带隙区(WBG)(220)、p掺杂WBG区(230)、及低功函数金属层(240)(n+－p－M结构)。此结构的改进包括p区(230)与M金属层(240)之间的p+重掺杂区(235)(n+－p－p+－M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于p掺杂区(230)或p+重掺杂WBG区(235)在与低功函数金属接触时起负电子亲和性材料的作用，故有可能得到大电流密度。由于发射极利用了比较低的抽取电场，故具有n+－p－M和n+－p－p+－M结构的注入发射极是稳定的，且不受来自被加速离子的沾污和/或吸收的影响。这些结构可以用目前的现有技术工艺来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1412805A | 申请公布日期 | 2003.04.23 |
| 申请号 | CN02144399.8 | 申请日期 | 2002.10.14 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | V·V·奥斯波夫;A·M·布拉特科夫斯基;H·比雷基 |
| 分类号 | H01J1/308;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/308 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种电子发射极(200、200-1、200-2、200-3、200-12、200-13)，它包含：n+区(220)；形成在所述n+区(220)中(或其上)的p区(230)；以及形成在所述p区(230)上的金属层(240)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||