发明名称 |
具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法 |
摘要 |
一种具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法,至少包含形成垫氧化层于基板上,再形成氮化物于垫氧化层之上;图案化氮化物及垫氧化层,蚀刻基板以形成沟渠于其中;执行离子布植植入离子于沟渠底侧,以利于形成重掺杂沟渠源极线,再回填填充材质于沟渠中;执行化学机械研磨平坦化基板;之后,形成隧穿氧化层于基板上;形成第一导电层于该隧穿氧化层之上;层间介电层形成于第一导电层之上;第二导电层形成于层间介电层之上;定义闸极结构,再分别实施离子布植。以利于形成汲极与源极以及形成环掺杂区域。 |
申请公布号 |
CN1412851A |
申请公布日期 |
2003.04.23 |
申请号 |
CN01136428.9 |
申请日期 |
2001.10.16 |
申请人 |
力旺电子股份有限公司 |
发明人 |
陈福元;徐清祥;金雅琴;杨青松;周秀芬;李昆鸿;吴孟益 |
分类号 |
H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L27/105 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘朝华 |
主权项 |
1、一种具沟渠源极线快闪记忆体,其特征是:它包括沟渠形成于其中的基板;重掺杂沟渠源极线位于该沟渠下侧区域;绝缘材质形成于该沟渠中;第一介电层形成于该基板上;第一导电层堆迭于该第一介电层之上做为悬浮闸极;第二介电层形成于该第一导电层之上;第二导电层形成于该第二介电层之上做为控制闸极。 |
地址 |
台湾省新竹市 |