发明名称 具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法
摘要 一种具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法,至少包含形成垫氧化层于基板上,再形成氮化物于垫氧化层之上;图案化氮化物及垫氧化层,蚀刻基板以形成沟渠于其中;执行离子布植植入离子于沟渠底侧,以利于形成重掺杂沟渠源极线,再回填填充材质于沟渠中;执行化学机械研磨平坦化基板;之后,形成隧穿氧化层于基板上;形成第一导电层于该隧穿氧化层之上;层间介电层形成于第一导电层之上;第二导电层形成于层间介电层之上;定义闸极结构,再分别实施离子布植。以利于形成汲极与源极以及形成环掺杂区域。
申请公布号 CN1412851A 申请公布日期 2003.04.23
申请号 CN01136428.9 申请日期 2001.10.16
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 陈福元;徐清祥;金雅琴;杨青松;周秀芬;李昆鸿;吴孟益
分类号 H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239 主分类号 H01L27/105
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 刘朝华
主权项 1、一种具沟渠源极线快闪记忆体,其特征是:它包括沟渠形成于其中的基板;重掺杂沟渠源极线位于该沟渠下侧区域;绝缘材质形成于该沟渠中;第一介电层形成于该基板上;第一导电层堆迭于该第一介电层之上做为悬浮闸极;第二介电层形成于该第一导电层之上;第二导电层形成于该第二介电层之上做为控制闸极。
地址 台湾省新竹市