| 主权项 |
1.一种具有快闪记忆体(Flash Memory)之转接测试装置,系应用于一高频电路板中之射频(RF)量测,系包括:一电路基板;一连接部,系设计于该电路基板,以与该高频电路板作电性连接;藉由该转接测试装置连接至该高频电路板以对该高频电路板做射频量测。2.如申请专利范围第1项所述之具有快闪记忆体之转接测试装置,其中所述之电路板上系包括一电气可消除可程式化唯读记忆体(EEPROM)之设置。3.如申请专利范围第1项所述之具有快闪记忆体之转接测试装置,其中所述之电路板系为具一高频电路设计之电路板。4.如申请专利范围第1项所述之具有快闪记忆体之转接测试装置,其中所述之射频量测系为实施802.11b规格之量测者。5.如申请专利范围第1项所述之具有快闪记忆体之转接测试装置,其中所述之连接部系为插槽(socket)结构。6.一种具有快闪记忆体之转接测试卡,系可对一具有高频电路设计之电路板实施射频性能之量测,该快闪记忆体内系储存有关实施该射频量测之韧体,该测试卡系至少包括一电路基板、一连接装置以及该快闪记忆体之设置,其中该连接装置系设计在该电路基板上并可连接至该高频电路设计之电路板上,该电路基板则有相关电路布线之设计。7.如申请专利范围第6项所述之具有快闪记忆体之转接测试卡,其中所述之高频电路设计之电路板上系包括一电气可消除可程式化唯读记忆体(EEPROM)之设置。8.如申请专利范围第6项所述之具有快闪记忆体之转接测试卡,其中所述之射频量测系为实施802.11b规格之量测者。9.如申请专利范围第6项所述之具有快闪记忆体之转接测试卡,其中所述之连接装置系为插槽(socket)结构。图式简单说明:图一 系为习用具通讯设计之电路板测试之简单示意图。图二 系为本发明之第一较佳实施例。图三 系为本发明之第二较佳实施例。 |
