| 主权项 |
1.一种形成电容器之方法,该方法至少包含下列步骤:形成掺杂区域于基板中;形成绝缘层于该基板之上;图案化该绝缘层形成穿孔用以曝露该掺杂区域;形成导电栓于该穿孔中;去除该导电栓之上部分用以形成凹陷区域;沉积第一金属层于该凹陷区域表面;沉积第二金属层于上述第一金属层表面;平坦化上述第二金属层及第一金属层,做为电容器之下部电极;形成电容器介电层于下部电极之上;及形成导电层于上述电容器介电层做为电容器之顶部电极。2.如申请专利范围第1项之形成电容器之方法,其中上述之电容器介电层包含Ta2O5.PZT、BST。3.如申请专利范围第1项之形成电容器之方法,其中上述之导电栓包含复晶矽。4.如申请专利范围第1项之形成电容器之方法,其中上述之导电层包含复晶矽。5.如申请专利范围第1项之形成电容器之方法,其中上述之第一金属层包含阻障层。6.如申请专利范围第1项之形成电容器之方法,其中上述之第二金属层包含transition金属层。7.如申请专利范围第6项之形成电容器之方法,其中上述之transition金属层包含Pt、Ru、RuO2.Ir、IrO2。8.一种电容器结构,包含;绝缘层,包含穿孔形成于其中;导电栓,位于穿孔之下侧部分;第一金属层,其截面系为一U形,形成于该穿孔表面与导电栓之上;第二金属层,其截面系为一U形,形成于该第一金属层表面上做为下部电极;电容器介电层,形成于该第二金属层上;以及导电层,形成于该电容器介电层之上做为顶部电极。9.如申请专利范围第8项之电容器结构,其中上述之电容器介电层包含Ta2O5.PZT、BST。10.如申请专利范围第8项之电容器结构,其中上述之第一金属层包含阻障层。11.如申请专利范围第8项之电容器结构,其中上述之第二金属层包含transition金属层。12.如申请专利范围第11项之电容器结构,其中上述之transition金属层包含 Pt、Ru、RuO2.Ir、IrO2。13.如申请专利范围第8项之电容器结构,其中上述之导电栓包含复晶矽。14.如申请专利范围第8项之电容器结构,其中上述之导电层包含复晶矽。图式简单说明:图一为本发明中形成导电栓之截面图。图二为本发明中形成阻障层以及transition金属层之截面图。图三为本发明中平坦化阻障层以及transition金属层之截面图。图四为本发明中形成顶部电极之截面图。 |
