| 主权项 |
1.一种光罩,在透光性基体的至少一个面上具有由光阻所形成的图案,其特征在于:前述面上在和至少光罩制造装置的接触部未设前述光阻者。2.一种光罩,在透光性基体的至少一个面上具有由光阻所形成的图案,其特征在于:前述面上在和至少光罩容器或光罩用夹具的接触部未设前述光阻者。3.一种光罩,在透光性基体的至少一个面上具有由光阻所形成的图案,其特征在于:前述面上在和至少薄膜框的接触部未设前述光阻者。4.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光罩制造装置为光罩用曝光装置、光罩用图案描绘装置、光阻涂布装置、光阻显影装置、光罩尺寸测量装置、光罩检查装置、光罩修正装置、光罩搬运装置之至少任一装置。5.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光罩更有由金属所形成的图案,和前述光罩制造装置、前述光罩容器、前述光罩用夹具、前述薄膜框或前述半导体制造装置的接触部为由前述金属所形成的图案部。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之光罩,其中前述光罩在前述面上有移相器。7.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述透光性基体具有为了使前面侧转移相位的开口部。8.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光阻为负型光阻。9.如申请专利范围第1项之光罩,其中在前述光阻和前述透光性基体之间设有导电性材料。10.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光阻为化学放大系列光阻。11.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光阻包含丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚树脂、碳黑或金属氧化物之至少一种。12.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述光阻为至少g线、i线、氟化氩准分子雷射线、氟化氪准分子雷射线、氟(F2)雷射线曝光之任一用于减光或遮光的光阻。13.如申请专利范围第1项之光罩,其中前述透光性基体为石英基板。图式简单说明:图1(a)为用于半导体积体电路装置制造的本发明实施形态1的光罩平面图,(b)为(a)的A-A线截面图,(c)为显示为(a)、(b)的光罩装在预定装置上时的情况的光罩要部截面图。图2(a)~(c)为图1的光学光罩制程中的要部截面图。图3为显示代表电子束光阻膜的分光透过率的曲线图。图4为模式显示使用图1的光学光罩转印于半导体晶圆上的光阻图案的半导体晶圆要部截面图。图5为缩小投影曝光装置的说明图。图6为半导体积体电路装置制程中的半导体晶圆要部截面图。图7为接着图6的半导体积体电路装置制程中的半导体晶圆要部截面图。图8为接着图7的半导体积体电路装置制程中的半导体晶圆要部截面图。图9为接着图8的半导体积体电路装置制程中的半导体晶圆要部截面图。图10显示制造光罩的制程的制程图。图11为显示光罩的电子束描绘装置安装状态的说明图。(a)为平面图,(b)为截面图。图12(a)及(b)为显示防止光罩带电的方法的图。图13为显示光罩构造的构造图。(a)为平面图,(b)为截面图。图14(a)及(b)为说明光罩处理的说明图。图15(a)及(b)为说明光阻形成方法的说明图。图16为显示光罩构造的构造图。图17为用于本发明一实施形态的半导体积体电路装置制造方法的光罩平面图。图18为用于本发明一实施形态的半导体积体电路装置制造方法的光罩平面图。图19为用于本发明一实施形态的半导体积体电路装置制造方法的光罩要部平面图。图20为用于本发明一实施形态的半导体积体电路装置制造方法的光罩要部平面图。图21为显示用于本发明一实施形态的光学光罩的图案资料处理流程和进行该处理的装置结构概略的图。图22为显示用于本发明一实施形态的光学光罩制程流程的图。图23为用于本发明一实施例的光学光罩平面图,系显示应除去光阻膜的区域的图。图24(a)为用于本发明一实施形态的半导体积体电路装置制造方法的光学光罩平面图,(b)为(a)的TA-TA'线截面图。图25为显示将光学光罩设定于光罩检查装置的状态的图。图26为显示将光学光罩设定于其他光罩检查装置的状态的图。图27(a)为将用于本发明一实施例的光学光罩收容于收容盒的状态的平面图,(b)为(a)的TA-TA'线截面图。图28为显示搬运光学光罩的状态的图。图29为用于本发明其他实施例的光学光罩平面图,系显示应除去光阻膜的区域的图。图30为显示用于本发明其他实施例的光学光罩的图案资料处理流程的图。图31为显示缩小投影曝光装置概略结构的图。图32为显示将本发明实施形态的光罩装在预定装置上时的情况的光罩要部截面图。图33为显示将本发明实施形态的光罩装在预定装置上时的情况的光罩要部截面图。图34为显示将本发明实施形态的光罩装在预定装置上时的情况的光罩要部戏面图。图35为在本发明一实施形态的光罩关于和制造装置等的接触区域的资料管理或利用方法的系统结构图。 |
