| 主权项 |
1.一种半导体装置,系在基板上形成多数个利用经线状脉冲雷射退火的半导体层作为通道区域之薄膜电晶体而成,具备:至少一个元件驱动用薄膜电晶体,将从电源线传来的驱动电流供应到对应的被驱动元件;及开关用薄膜电晶体,依据选择时供应的资料控制前述元件驱动用薄膜电晶体,其特征为:以前述线状脉冲雷射之照射区域的长度方向为横向通过前述元件驱动用薄膜电晶体之通道(通道与雷射照射区域之长度方向垂直)的方式配置该元件驱动用薄膜电晶体。2.一种半导体装置,系在基板上形成多数个利用经脉冲雷射退火的半导体层作为通道区域的薄膜电晶体而成,具备:至少一个元件驱动用薄膜电晶体,将从电源线传来的驱动电流供应到对应的被驱动元件;及开关用薄膜电晶体,依据选择时供应的资料控制前述元件驱动用薄膜电晶体,其特征在于:前述元件驱动用薄膜电晶体系配置在其通道的长度方向与前述脉冲雷射的扫描方向大致平行的方向。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述元件驱动用薄膜电晶体之通道长度系比前述脉冲雷射的1次移动距离长。4.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述元件驱动用薄膜电晶体系在与前述电源线对应的前述被驱动元件之间设置多数个。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述多数个元件驱动用薄膜电晶体其各自的通道的长度方向系在前述脉冲雷射之扫描方向上互相偏离配置。6.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述元件驱动用薄膜电晶体之通道的长度方向系与前述开关用薄膜电晶体之通道的长度方向不一致。7.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述元件驱动用薄膜电晶体之通道的长度方向,系沿着将前述资料讯号供应到前述开关用薄膜电晶体之资料线的延伸方向。8.一种半导体装置,系在基板上形成多数个利用经脉冲雷射退火之半导体层作为通道区域的薄膜电晶体而成,该半导体装置具有一对并联连接的薄膜电晶体,将电源线传来的驱动电流供应到被驱动元件,且前述并联连接的一对薄膜电晶体之通道,系相对于前述脉冲雷射之扫描方向,在其平行方向上互相偏离配置。9.一种半导体装置,系在基板上形成多数个利用经脉冲雷射退火之半导体层作为通道区域的薄膜电晶体而成,该半导体装置具有一对并联连接的薄膜电晶体,将从电源线传来的驱动电流供应到被驱动元件,且前述一对并联连接的薄膜电晶体中,沿着与脉冲雷射的扫描方向平行的方向之通道间的隔开距离,系设定为比脉冲雷射扫描方向之1次移动距离大。10.如申请专利范围第8项或第9项之半导体装置,其中,前述一对薄膜电晶体之通道,系沿着前述脉冲雷射之扫描方向整齐排列配置在大致同一直线上。11.如申请专利范围第8项或第9项之半导体装置,其中,前述一对薄膜电晶体之通道系以前述电源线为界配置在相反两侧。12.如申请专利范围第1项、第2项、第8项及第9项中任一项之半导体装置,其中,前述被驱动元件系有机电激发光元件,前述半导体装置系将该有机电激发光元件配置成矩阵状之有机电激发光显示器。图式简单说明:第1图系本发明实施型态1相关之有机电激发光显示装置之每1像素电路构成图。第2图系雷射照射距离说明图。第3图(a)至(c)系薄膜电晶体TFT之通道配置图。第4图系本发明实施型态1相关之有机电激发光显示装置俯视构成图。第5图系沿第4图B-B线之剖面图。第6图系本发明实施型态2相关之有机电激发光显示装置俯视构成图。第7图系本发明实施型态2相关之有机电激发光显示装置与第6图相异之俯视构成图。 |
