| 主权项 |
1.一种以具有充电非对称谐振穿隧作用之二井系统为基础之LED,包含第一与第二被耦合之井,其中之一为一活性量子井,另一则为较该活性量子井为宽之宽井,该等井经由一谐振穿隧作用障壁被耦合,其对电子为透明的且用于阻塞电洞。2.如申请专利范围第1项所述之LED,其为以一种Ⅲ-Ⅴ族半导体为基础之LED。3.如申请专利范围第1项所述之LED,其为以GaN为基础之LED。4.如申请专利范围第3项所述之LED,其中该宽井包含InGaN,该谐振穿隧作用障壁包含GaN及该量子井包含InGaN。5.如申请专利范围第1项所述之LED,其中该活性井为一复式量子井结构。6.如申请专利范围第1项所述之LED,其包括一含有一过滤超晶格之缓冲层。7.如申请专利范围第1项所述之LED,其中一p-层为GaN,p-AlxGal-xN与p型复晶GaN之一。8.如申请专利范围第1项所述之LED,其中一p-层已以等电子共掺杂使用Mg与Al二者或其中之一被掺杂。9.如申请专利范围第1项所述之LED,其中一基体为可拆卸的或已以湿蚀刻或雷射切除被去除。10.如申请专利范围第1项所述之LED,其中欧姆接点层为在该LED结构之顶端上或在其顶端或底部。11.如申请专利范围第1项所述之LED,其为一以AlGaInP基础之LED,包含:一厚度为100-300m之n型GaAs基体;一金属欧姆接点被附装于该基体;具有51017-1019cm-3之掺杂程度且厚度为0.1至0.3m之n型GaAs缓冲层;由具有51017-1020cm-3之掺杂程度且厚度为0.3至2m之n型(AlxGal-x)0.5 In0.5P(0.5≦x≦1)做之一n镀层;一电子发射层包含由厚度为0.01至0.2m之(AlxGal-x)0.5In0.5P(0.2≦x≦0.5)做成之简单未掺杂电子发射层或厚度小于1m之(AlxGal-x)l-yInyP/AlxlGal-xl)l-y1lInylP(0.5≦x≦1,0.4≦y≦0.6与0≦xl≦0.4,0≦yl≦0.4)之复式量子井结构;一充电非对称谐振穿隧作用障壁包含厚度为10-100之未掺杂(AlxGal-x)0.5 In0.5P(0.7≦x≦1);一活性井层包含厚度小于200之未掺杂(AlxGal-x)0.5In0.5P(0≦x≦0.4)做成之单一量子井结构或由厚度小于3m之(AlxGal-x)l-yInyP/(AlxlGal-xl)l-ylInylP(0.5≦x≦1,0.4≦y≦0.6与0≦xl≦0.4,0≦yl≦0.4)做成之复式量子井;由51016-1018cm-3掺杂程度之p型(AlxGal-x)0.5In0.5P(0.5≦x≦1)做成之厚度为0.3至2m的电洞发射层;由51017至51018cm-3掺杂程度之p型InxGal-xP(x≦0.1)做成之厚度小于12m的窗层;以及一金属欧姆接点被沉积于该电洞发射层上。图式简单说明:第1.3.5.7.8与9图显示依据本发明之结构;以及第2.4与6图分别为第1.3与5图之结构的简化能量带图。 |
