| 主权项 |
1.一种制造含铅之铜合金所成之低Pb释出金属元件之方法,该金属元件经设计而采用于水分布系统中,所述之方法包含下列步骤:-将所述元件(其在工作时会曝露至水中)之表面选择性蚀刻,使所述元件进行机制加工且/或模塑/印模压铸工序后在其上所出现之Pb与Pb盐几乎完全地移除;所述之选择性蚀刻步骤系藉由曝露所述表面至酸性水溶液;其中该酸性水溶液系选自:(a)能够形成可溶性Pb盐之酸之非氧化酸性水溶液,该酸系选自:胺基磺酸、氟硼酸、甲烷磺酸、氟矽酸、乙酸与其混合物,且此酸在此水溶液中之莫耳浓度为0.01-5M,与(b)含有12%柠檬酸与1%过氧化氢之氧化酸性水溶液,且其中该选择性蚀刻步骤在使用非氧化酸性水溶液时系于20至50℃之温度下进行,或在使用氧化酸性水溶液时系于22℃下进行,以及-令所述表面进行惰化作用。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之水溶液之pH范围为1-3。3.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由简单地将所述元件浸在所述之溶液中5-50分钟而进行所述之曝露至能够形成可溶性Pb盐之所述非氧化酸性水溶液之作用中。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之惰化步骤接在所述之选择性蚀刻步骤之后,并藉由曝露所述之表面至硷性水溶液之作用中而进行。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该硷性水溶液为强硷水溶液。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该硷性水溶液包含选自下述之强硷:NaOH,矽酸钠与其混合物,而惰化步骤系保持溶液至在10与13间之pH而进行。7.如申请专利范围第1项之方法,其中在蚀刻与惰化之步骤间亦提供一种中间润洗阶段。8.如申请专利范围第1项之方法,其中在35℃-45℃将所述元件去油污,润洗,然后浸在0.1M胺基磺酸之第一水溶液中不超过25分钟之时间周期,然后在20-25℃另外润洗,浸在0.1M氢氧化钠之第二水溶液中不超过15分钟之时间周期,最后经第三次润洗并乾燥之。9.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之酸性水溶液之组成物为一种以1:1比例之0.1M胺基磺酸与0.1M氟硼酸之混合物。10.如申请专利范围第7项之方法,其中所述之润洗操作系在室温藉由浸在自来水中进行。11.如申请专利范围第1项之方法,其中在所述曝露至所述溶液之作用中之期间,所述之溶液遭受超音波振荡以使超音波撞击所述元件之表面。12.一种用于执行含Pb之铜合金所制成之机制元件之选择性Pb蚀刻之处理水溶液,该选择性蚀刻直接地于曾遭受机制,模塑或印模压铸工序之所述元件之各自富有Pb与Pb盐之表面上进行,所述之处理溶液其特征为具有下列之组成物:-0.1M胺基磺酸;-0.1M氟硼酸;-从0.1至5重量%1H-苯并三唑。13.一种用于执行含Pb之铜金属合金所制成之机制元件之表面惰化之处理水溶液,所述之水溶液其特征为包含:0.1M NaOH与从1至5重量%偏亚磷酸钠。14.如申请专利范围第13项之处理水溶液,其中该处理水溶液亦包括间矽酸钠。15.如申请专利范围第13或14项之处理水溶液,其中该处理水溶液亦包括表面润湿剂。16.如申请专利范围第15项之处理水溶液,其中该表面湿润剂为聚乙氧基醇类。图式简单说明:-图1与2为显微照片显示5.15毫米直径之CuZn37Pb3(根据CEN法典)拉长金属线之表面形状,该金属线系经烧热以后逐渐减温以防脆性化但未经酸洗液浸清,该白斑为因加工金属线所造成之应力之Pb与Pb盐之离析;-图3与b为相同金属线之显微照片,显示在该金属线根据本发明方法之第一体系,使用不同之非氧化酸性溶液处理过之后,该合金之表面形状;-图4为显微照片显示在以柠檬酸溶液处理之后,图1与2之相同金属线之表面形状;-图5为图4之相同金属线以柠檬酸之氧化溶液,根据本发明方法之第二体系处理之显微照片;-图7至10显示根据所给实例进行Pb释放试验之图形结果。 |
