| 主权项 |
1.一种堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,包括以下步骤:提供一基底;在该基底上形成复数堆叠闸极,每一堆叠闸极包括一第一绝缘层、位于该第一绝缘层上之一第一闸极层、位于该第一闸极层上之一第二绝缘层、位于该第二绝缘层上之一第二闸极层以及位于该第二闸极层上之第三绝缘层;在该些堆叠闸极之间形成在该基底中之复数源极及汲极掺杂区;在该些堆叠闸极侧壁形成一间隙壁;在该些堆叠闸极间填满一第一导电层;在与该源极掺杂区连接之该第一导电层上形成一第四绝缘层;以及沉积一第二导电层,该第二导电层与该汲极掺杂区上方之第一导电层连接,并藉由该第四绝缘层与该源极掺杂区上方之第一导电层绝缘。2.一种堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,包括以下步骤:提供一基底;在该基底上依序沉积一第一及第二沉积层;在该第二、第一沉积层及该基底中形成一深及该基底中之第一凹槽;形成一填满该第一凹槽之第一绝缘层;移除该第二沉积层而露出该第一绝缘层侧壁;蚀刻该第一沉积层及该第一绝缘层,而在该第一绝缘层形成一梯状侧壁,并移除该第一沉积层而形成一曝露该基底之第二凹槽;在该曝露之基底表面形成一第二绝缘层;沉积一第一闸极层并回蚀而使该第一闸极层位于该第二凹槽中且在该第一闸极层中间及侧边分别形成一凹陷部及尖端部;蚀刻该第一绝缘层而使该第一闸极层之尖端部露出;在该第一闸极层表面形成一第三绝缘层;沉积一第二闸极层填满该第二凹槽;在该第二闸极层上沉积一第四绝缘层;依序蚀刻该第四绝缘层、第二闸极层、该第三绝缘层、该第一闸极层及该第二绝缘层,形成曝露该基底之复数第三凹槽;在被该些第三凹槽曝露之该基底中形成一汲极及源极掺杂区,而形成至少一列记忆胞;在该第三凹槽之两侧侧壁形成一间隙壁;以及在该第三凹槽中填满一第一导电层。3.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中更包括以下步骤:蚀刻该第一绝缘层,使该些第三凹槽连通;以及在该些连通之第三凹槽曝露之该基底中形成该源极掺杂区。4.如申请专利范围第3项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中更包括以下步骤:在与该源极掺杂区连接之该第一导电层上形成一第五绝缘层;以及沉积一第二导电层,该第二导电层与该汲极掺杂区上方之第一导电层连接,并藉由该第五绝缘层与该源极掺杂区上方之第一导电层绝缘。5.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该导电层系多晶矽层。6.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该基底系一矽基底。7.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该第一及第二闸极层系多晶矽层。8.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该第一沉积层系氧化层。9.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该第二沉积层系氮化层。10.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该第一、第二及第三绝缘层系氧化层。11.如申请专利范围第2项所述之堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法,其中该第四绝缘层系一氧化层及一氮化层。图式简单说明:第1A~8C图显示了一传统堆叠闸极快闪记忆装置之结构;第9A~15C图显示了本发明一实施例中堆叠闸极快闪记忆装置之制造方法。 |
