| 主权项 |
1.一种在制造元件中形成元件层之方法,包括:提供一基材,其含有元件层在其表面上;以及把含有图案之转印模压抵基材以对元件层形成图案。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该元件包括一种有机发光二极体(OLED)元件。3.如申请专利范围第2项之方法,其中基材包括有聚合物基材。4.如申请专利范围第3项之方法,其中基材包括一种挠性或软性基材。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该基材包括一种透明基材。6.如申请专利范围第5项之方法,其中元件层包括透明导电层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中透明导电层包括一种导电氧化物。8.如申请专利范围第7项之方法,其中导电氧化物包括铟锡氧化物(ITO)。9.如申请专利范围第8项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。10.如申请专利范围第9项之方法,其中对元件层形成图案以在基材上形成各下电极。11.如申请专利范围第10项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度。12.如申请专利范围第11项之方法,其中突件的高度至少大于元件层的厚度2-10倍。13.如申请专利范围第12项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。14.如申请专利范围第13项之方法,其中负荷包括一超过基材材料降服强度1.10倍的净压力。15.如申请专利范围第14项之方法,另外包括有处理方法以形成有机发光二极体(OLED)画素。16.如申请专利范围第15项之方法,其中形成有机发光二极体(OLED)画素的处理方法包括:在各下电极上形成至少一个有机功能层;以及在有机功能层上形成各上电极,其中有机发光二极体(OLED)画素被形成在上及下电极分别地夹住有机功能层之处。17.如申请专利范围第3项之方法,其中基材包括透明基材。18.如申请专利范围第17项之方法,其中元件层包括透明导电层。19.如申请专利范围第18项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。20.如申请专利范围第19项之方法,其中对元件层形成图案以在基材上形成各下电极。21.如申请专利范围第20项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度。22.如申请专利范围第21项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。23.如申请专利范围第22项之方法,另外包括有处理方法以形成有机发光二极体(OLED)画素。24.如申请专利范围第15项之方法,其中形成有机发光二极体(OLED)画素的处理方法包括:在各下电极上形成至少一个有机功能层;以及在有机功能层上形成各上电极,其中有机发光二极体(OLED)画素被形成在上及下电极夹住有机功能层之处。25.如申请专利范围第3项之方法,其中元件层包括导电层。26.如申请专利范围第25项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。27.如申请专利范围第26项之方法,其中对元件层形成图案以在基材上形成各下电极。28.如申请专利范围第27项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度。29.如申请专利范围第28项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。30.如申请专利范围第29项之方法,另外包括有处理方法以形成有机发光二极体(OLED)画素。31.如申请专利范围第30项之方法,其中形成有机发光二极体(OLED)画素的处理方法包括:在各下电极上形成至少一个有机功能层;以及在有机功能层上形成各上电极,其中有机发光二极体(OLED)画素被形成在上及下电极夹住有机功能层之处。32.如申请专利范围第2项之方法,其中基材包括一种材料由一群含有下列选出者:聚酯,对苯二酸-丁二醇聚合物,对苯二酸-乙二醇聚合物,聚乙撑,聚碳酸盐,聚亚胺盐,聚,以及对苯撑-醚-。其他薄片如聚乙烯,聚丙烯,聚氯乙烯,聚苯乙烯,以及异丁烯酸甲酯。33.如申请专利范围第32项之方法,其中元件层包括导电层。34.如申请专利范围第33项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生,图案系用来使各下电极形成在基材上。35.如申请专利范围第34项之方法,其中突件含有大于元件层厚度的高度,以对元件层形成图案。36.如申请专利范围第35项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。37.如申请专利范围第36项之方法,其中形成有机发光二极体(OLED)画素的处理方法包括:在各下电极上形成至少一个有机功能层;以及在有机功能层上形成各上电极,其中有机发光二极体(OLED)画素被形成在上及下电极分别地夹住有机功能层之处。38.如申请专利范围第1项之方法,其中基材包括有聚合物基材。39.如申请专利范围第38项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。40.如申请专利范围第39项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度。41.如申请专利范围第11项之方法,其中突件的高度至少大于元件层的厚度5-10倍。42.如申请专利范围第41项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。43.如申请专利范围第42项之方法,其中负荷包括一超过基材材料降服强度之1.10倍的净压力。44.如申请专利范围第43项之方法,另外包括有处理方法以形成元件。45.如申请专利范围第43项之方法,其中元件包括从含有下列群中选出者:电机装置,机械装置,机电装置,以及微机电系统。46.如申请专利范围第40项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。47.如申请专利范围第46项之方法,另外包括有处理方法以形成元件。48.如申请专利范围第47项之方法,其中元件包括从含有下列群中选出者:电机装置,机械装置,机电装置,以及微机电系统。49.如申请专利范围第1项之方法,其中基材包括一种材料由一群含有下列选出者:聚酯,对苯二酸-乙二醇聚合物,对苯二酸-丁二醇聚合物,聚乙撑,聚碳酸盐,聚亚胺盐,聚,以及对苯撑-醚-。其他薄片如聚乙烯,聚丙烯,聚氯乙烯,聚苯乙烯,以及异丁烯酸甲酯。50.如申请专利范围第49项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。51.如申请专利范围第34项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度,以形成元件层。52.如申请专利范围第51项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。53.如申请专利范围第52项之方法,另外包括有处理方法以形成元件。54.一种形成图案的方法,包括:转动一含有具有图案的圆形鼓之转印模;当转印模被转动以对元件形成图案时,将具有元件层之基材移动。55.如申请专利范围第1项之方法,其中基材包括有聚合物基材。56.如申请专利范围第55项之方法,其中图案是以在转印模表面上之突件而产生。57.如申请专利范围第34项之方法,其中突件含有一大于元件层厚度的高度,以对元件形成图案。58.如申请专利范围第57项之方法,其中转印模在负荷下被压抵住基材表面,而不会造成元件层在非图案化区域中龟裂。59.如申请专利范围第58项之方法,另外包括处理方法以形成元件。60.如申请专利范围第59项之方法,其中元件包括从含有下列群中选出者:电机装置,机械装置,机电装置,以及微机电系统。61.如申请专利范围第59项之方法,其中该元件包括一种有机发光二极体(OLED)元件。图式简单说明:第1图显示出有机画素LED;第2-4图显示本发明一个实施例以对一个元件层形成图案之方法;第5图显示本形成一个元件层之另一个方法。 |
