| 主权项 |
1.一种覆晶式单晶微波积体电路封装,至少包括:一单晶微波积体电路晶片,该单晶微波积体电路晶片具有一主动区域,而该单晶微波积体电路晶片上配置有复数个焊垫;一散热块,该散热块配置于该主动区域上;一绝缘基材适于承载覆晶后之该单晶微波积体电路晶片,该绝缘基材具有一开口以及复数个转接埠,该开口系用以容纳该散热块,而该些转接埠系与该些焊垫电性连接;以及一封装胶体,该封装胶体系分布于该绝缘基材与该单晶微波积体电路晶片之间的缝隙,且该封装胶体系覆盖至整个单晶微波积体电路晶片,以将该单晶微波积体电路晶片固着于该绝缘基材上。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中每一该些转接埠与每一该些焊垫之间系藉由一凸块电性连接。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块的尺寸、形状系略小于该开口的尺寸。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中每一该些转接埠更包括:一第一接点,该第一接点系配置于该绝缘基材的上表面;一第二接点,该第二接点系配置于该绝缘基材的下表面;以及一通路孔,该通路孔系配置于该绝缘基材中,且该通路孔系用以将该第一接点与该第二接点电性连接。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该些第一接点系与该些焊垫电性连接。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块系藉由一黏着层配置于该主动区域上。7.如申请专利范围第6项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该黏着层之材质系为一介电材质。8.如申请专利范围第1项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块之材质系为一具有良好热传导特性之化合物。9.一种覆晶式单晶微波积体电路封装,至少包括:一单晶微波积体电路晶片,该单晶微波积体电路晶片具有一主动区域,而该单晶微波积体电路晶片上配置有复数个焊垫;一散热块,该散热块配置于该主动区域上;一绝缘基材适于承载覆晶后之该单晶微波积体电路晶片,该绝缘基材具有一开口以及复数个转接埠,该开口系用以容纳该散热块,而每一该些转接埠包括一配置于该绝缘基材的上表面之第一接点、一配置于该绝缘基材的下表面之第二接点,以及配置于该绝缘基材中之通路孔,该通路孔系用以将该第一接点与该第二接点电性连接,其中,该些第一接点系与该些焊垫电性连接;以及一封装胶体,该封装胶体系分布于该绝缘基材与该单晶微波积体电路晶片之间的缝隙,且该封装胶体系覆盖至整个单晶微波积体电路晶片,以将该单晶微波积体电路固着于该绝缘基材上。10.如申请专利范围第9项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中每一该些转接埠与每一该些焊垫之间系藉由一凸块电性连接。11.如申请专利范围第9项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块的尺寸、形状系略小于该开口的尺寸。12.如申请专利范围第9项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块系藉由一黏着层配置于该主动区域上。13.如申请专利范围第12项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该黏着层之材质系为一介电材质。14.如申请专利范围第9项所述之覆晶式单晶微波积体电路封装,其中该散热块之材质系为一具有良好热传导特性之化合物。图式简单说明:第1图绘示为习知单晶微波积体电路封装之剖面示意图;第2图绘示为习知另一种单晶微波积体电路封装之剖面示意图;第3图绘示为依照本发明一较佳实施例单晶微波积体电路封装中绝缘基材之立体图;第4图绘示为依照本发明一较佳实施例单晶微波积体电路封装中,单晶微波积体电路晶片与散热块连接后之立体图;第5图绘示为依照本发明一较佳实施例单晶微波积体电路封装之立体图;第6图绘示依照本发明一较佳实施例单晶微波积体电路封装之剖面示意图;以及第7图绘示为依照本发明一较佳实施例单晶微波积体电路封装的制作流程图。 |
