| 主权项 |
1.一种钨插塞之铝导线的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,该基底上具有一导电区;(b)形成一绝缘层于该基底上,并在该绝缘层中形成一接触开口,以露出该导电区;(c)填满钨金属于该接触开口,而形成一钨插塞;(d)形成一阻障层于该基底与该钨插塞上;(e)形成一含铝金属层于该阻障层上;(f)形成一图案化的光阻层于该含铝金属层上;(g)以该光阻层为罩幕,非等向性去除部分该含铝金属层与部分该阻障层直到露出部分该钨插塞表面,而形成一图案化的含铝金属层与阻障层,并且在该图案化的含铝金属层侧壁上沈积有聚合物;(h)去除该光阻层;(i)形成一氧化铝膜于该图案化的含铝金属层侧壁表面上;以及(j)等向性去除该聚合物。2.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(e)形成该含铝金属层之后,更包括形成一反反射层于该含铝金属层上。3.如申请专利范围第2项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中该反反射层系由沈积法所形成之TiN层。4.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(a)该基底之导电区系一电晶体的源极或汲极区。5.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(a)该基底之导电区系一内连导线层。6.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(b)该绝缘层系由沈积法所形成之SiO2层。7.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(d)该阻障层系由沈积法所形成之Ti/TiN层。8.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(e)该含铝金属层系由沈积法所形成之铝铜合金层。9.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(e)该含铝金属层系由沈积法所形成之铝矽铜合金层。10.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(g)非等向性去除部分该含铝金属层与部分该阻障层直到露出部分该钨插塞表面的去除方法系采用Cl2/BCl3/N2(CHF3)/Ar的混合气体之乾蚀刻方法。11.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之含铝导线的制造方法,其中步骤(h)去除该光阻层的方法系采用O2/H2O混合气体之灰化法。12.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(i)形成该氧化铝膜于该图案化的含铝金属层侧壁表面上的方法系采用O3处理来形成。13.如申请专利范围第12项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中该O3处理的条件系在250~300℃的温度以及O2/O3的流速大抵系20升/分的状况下,进行至少2分钟。14.如申请专利范围第1项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中步骤(j)等向性去除该聚合物的方法系采用湿式蚀刻法。15.如申请专利范围第14项所述之钨插塞之铝导线的制造方法,其中该湿式蚀刻法的蚀刻液系择自含有机溶剂(organic based solvent)或含氟溶液(water basedfluoride)的去除聚合物溶液(stripper)之一。图式简单说明:第1a~1f图系显示习知技术之钨插塞之铝导线制程剖面示意图。第2a~2g图系显示本发明之钨插塞之铝导线制程剖面示意图。 |
