| 主权项 |
1.一种透明导电膜(唯透明导电膜系除实质上由铟、锡、镓及氧所成者外),其特征为:电阻率在250微欧姆公分以下,且表面凹凸之最大高低差(Z-max)/膜厚(t)在10%以下。2.如申请专利范围第1项之透明导电膜,其中薄膜之构造为结晶膜。3.如申请专利范围第1项之透明导电膜,其实质上系由铟、锡、锗及氧所成。4.如申请专利范围第3项之透明导电膜,其中薄膜之构造为结晶膜。5.如申请专利范围第3项之透明导电膜,其中含锗而Ge/(In+Sn+Ge)之原子比的比率为1.0%至6.0%。6.如申请专利范围第5项之透明导电膜,其中薄膜之构造为结晶膜。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之透明导电膜,其系用于EL面板。图式简单说明:第1图 呈示无机EL面板之构造的图。第2图 呈示实施例1所得之膜的电阻率及Z-max/t之图。第3图 呈示实施例1所得之薄膜的X线绕射图谱(XRD)之图。第4图 呈示实施例2所得之膜的电阻率及Z-max/t之图。第5图 呈示实施例2所得之薄膜的X线绕射图谱(XRD)之图。 |
