发明名称 电压监测器
摘要 一种电压监测器,用以监测一电压源,包括四个电阻器 ,第一与第二双载子电晶体,第一电晶体之VBE1比第二电晶体之VBE2大,以及一比较器。二电晶体之基极与集极接地。第二电晶体之射极与第一电阻及第三电阻串接。第一电晶体之射极与第二电阻串接。第二电阻与第三电阻的另一端并接 ,且接续与第四电阻串接。第四电阻之另一端连接到欲被监测之一电压源。位于第二电阻与第一电晶体连接节点的第一电压,以及位于第一电阻与第三电阻连接节点的第二电压分别输入比较器。调整四个电阻之电阻值,使当电压源为一临界值时,第一电压与第二电压相等。
申请公布号 TW528872 申请公布日期 2003.04.21
申请号 TW090133084 申请日期 2001.12.31
申请人 智原科技股份有限公司 发明人 吕学旺;黄嘉洲
分类号 G01R19/00 主分类号 G01R19/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电压监测器,用以监测一电压源之变化,该电压监测器包括:一第一双载子电晶体,有一基极,一射极与一集极,其中该基极与该集极接地,而该射极与该基极之间有一VBE1;一第二双载子电晶体,有一基极,一射极与一集极,其中该基极与该集极接地,而该射极与该基极之间有一VBE2,而VBE1大于VBE2;一第一电阻器,有一第一端与一第二端,其中该第一端连接于该第二双载子电晶体之该射极,而该第二端有一电压Vb;一第二电阻器,有一第一端与一第二端,其中该第一端连接于该第一双载子电晶体之该射极且有一电压Va;一第三电阻器,有一第一端与一第二端,其中该第一端与该第一电阻器之该第二端串接;以及一第四电阻器,有一第一端与一第二端,其中该第一端与该电压源连接,而该第二端连与该第二电阻器之该第二端及该第三电阻器之该第二端共接,其中,该些电阻器之个别有一电阻値,使得当该电压源为一临界値时,该电压Va与该电压Vb相等。2.如申请专利范围第1项所述之电压监测器,其中该第一双载子电晶体有一第一面积,且该第二双载子电晶体有一第二面积,使分别具有VBE1与VBE2。3.如申请专利范围第1项所述之电压监测器,其中该第四电阻器包括一第一部份电阻与一第二部份电阻,永以得到一参考分压。4.如申请专利范围第1项所述之电压监测器,其中该比较器输出一逻辑状态,且当该电压源变化且跨过该临界値时,该逻辑状态被转态。5.如申请专利范围第1项所述之电压监测器,其中该电压源之该临界値包括约小于3.3伏。6.一种电压监测器,用以监测一电压源之变化,该电压监测器包括:一第一电路路径连接于该电压源与一地电源,其中有一分电压Va,其会与该电压源的一电压値的变化而随着变化;一第二电路路径连接于该电压源与该地电源,其中有一分电压Vb,其会与该电压源的该电压値的变化而随着变化,其中当该电压源于一临界値时,该分电压Va与该分电压Vb相等,但是其个别之一变化斜率不相等;以及一比较器,输入该分电压Va与该分电压Vb,而输出一逻辑状态,其中当该电压源因变化跨过该临界値时,由于该分电压Va与该分电压Vb的变化,该比较器之该逻辑状态产生转态。7.如申请专利范围第6项所述之电压监测器,其中该第一电路路径包括一第一双载子电晶体,该第二电路路径包括一第二双载子电晶体,该些双载子电晶体有不同面积。8.如申请专利范围第6项所述之电压监测器,其中该第一电路路径与该第二电路路径之一部份包括一共用元件。9.如申请专利范围第6项所述之电压监测器,其中该共用元件包括一电阻器。10.如申请专利范围第6项所述之电压监测器,其中该第一电路路径包括一第一半导体元件,该第二电路路径包括一第二半导体元件,该第一半导体元件与该第二半导体元件随温度变化之一变化率与流经该些路径之电阻之其一电压随温度变化之一变化率,成互相补偿之关系。11.一种电压监测之方法,用以监测一电压源之一电压値,包括:提供一第一电流路径,于该电压源与一地电压之间,其中于一第一节点上取出一分电压Va,该分电压Va对应于该电压源之该电压値之变化,有一第变化率;提供一第二电流路径,于该电压源与该地电压之,间其中于一第二节点上取出一分电压Vb,该分电压Vb对应于该电压源之该电压値之变化,有二第变化率;调整该第一电流路径与该第二电流路径之电阻値,使得当该电压源之该电压値处于一临界値时,该分电压Va与该分电压Vb相等;以及比较该分电压Va与该分电压Vb,其中当该分电压Va与该分电压Vb不相等时,表示该电压源以偏离该临界値。图式简单说明:第1图绘示一传统电压监测器之电路图;第2图绘示依照本发明,一电压监测器之电路图;第3图绘示依照本发明,电压参数随时间变化之曲线;以及第4图绘示依照本发明,于第3图中,电压Va,Vb变化之放大图。
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