形成含钛黏着层的方法

摘要

本发明的目的是提供一方法以形成一含钛黏着层之方法，并且减少硼离子扩散至含钛黏着层。主要是进行一氮离子植入步骤，将氮离子经由接触开口植入至一含有硼离子的离子掺杂区域与含钛黏着层间之介面区域，以形成一含氮离子之离子掺杂区域。其次，以TiCl4为基底并以化学气相沉积法(CVD)共形地沉积一含钛黏着层于该含氮离子之离子掺杂区域之表面上。由于，化学气相沉积法使用的温度较高，造成含氮离子之离子掺杂区域与含钛黏着层之介面间有离子扩散的现象，使得钛离子与氮离子接触而在介面上形成一氮化钛层。由于有含氮离子之离子掺杂区域以及氮化钛层的存在，使得硼离子无法通过上述区域扩散至含钛黏着层中，因此可以避免因为形成硼化钛而造成的问题。

主权项

1.一种形成含钛黏着层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一结构,其中该结构包含一底材,该底材上有一P型离子掺杂区域,该P型离子掺杂区域上有一矽化金属层;形成一介电层于该结构上,以覆盖该底材、该P型离子掺杂区域、以及该矽化金属层;形成一接触开口于该介电层内,以裸露出该矽化金属层之一部份区域;进行一离子植入,将复数个离子经由该接触开口植入至该矽化金属层之该部份区域内;以及共形地(conformally)形成一含钛黏着层于该介电层与该矽化金属层之该部份区域之表面上。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含沈积一金属层以填满该接触开口以形成一接触插塞。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述P型离子掺杂区域为一硼离子掺杂区域。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述矽化金属至少包含矽化钴。5.如申请专利范围第1项之方法,在离子植入步骤中的该等离子系氮离子。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述含钛黏着层是以化学气相层积法形成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中所述化学气相层积法是在约550℃至约800℃进行。8.一种在P型金氧半电晶体上形成含钛黏着层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一结构,其中该结构包含一底材,该底材上有一P型金氧半电晶体,该P型金氧半电晶体有一P型离子掺杂区域,该离子掺杂区域上有一矽化金属层;形成一介电层于该结构内,以覆盖该底材以及该P型金氧半电晶体;形成一接触开口于该介电层上,以裸露出该矽化金属层之一部份区域;进行一离子植入,将氮离子经由该接触开口植入至该矽化金属层之该部份区域内;以及共形地(conformally)形成一含钛黏着层于该介电层与该矽化金属层之该部份区域之表面上。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含沉积一金属层以填满该接触开口以形成一接触插塞。10.如申请专利范围第8项之方法,其中所述P型离子掺杂区域为一汲极。11.如申请专利范围第8项之方法,其中所述P型离子掺杂区域为一源极。12.如申请专利范围第8项之方法,其中所述P型离子掺杂区域是以硼离子作为掺杂离子。13.如申请专利范围第8项之方法,其中所述矽化金属至少包含矽化钴。14.如申请专利范围第8项之方法,其中所述含钛黏着层是以化学气相层积法形成。15.如申请专利范围第14项之方法,其中所述化学气相层积法是在约550℃至约800℃进行。16.一种形成含钛黏着层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一底材结构,其中该底材结构包含一第一型离子掺杂区域形成于该底材结构上,与一矽化金属层于该第一型离子掺杂区域;进行一离子植入,将一第二型离子植入至该矽化金属层内;以及共形地(conformally)形成一含钛黏着层于该矽化金属层之表面上。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该第一型离子掺杂区域系一P型离子掺杂区域。18.如申请专利范围第16项之方法,该提供一结构之步骤更包含形成一介电层覆盖于该底材、该第一型离子掺杂区域及该矽化金属层上,其中该介电层具有一开口以裸露出该矽化金属层之一部分区域。19.如申请专利范围第17项之方法,其中所述P型离子掺杂区域系一硼离子掺杂区域。20.如申请专利范围第16项之方法,其中所述矽化金属至少包含矽化钴。21.如申请专利范围第16项之方法,其中该第二型离子系氮离子。22.如申请专利范围第16项之方法,其中所述含钛黏着层是以化学气相层积法形成。23.如申请专利范围第22项之方法,其中所述化学气相层积法是在约550℃至约800℃进行。图式简单说明:第一图 传统以离子化金属电浆法形成含钛黏着层之示意图;第二图 传统以化学气相沈积法形成含钛黏着层之示意图;第三A图至第三C图 本发明之以氮离子植入及化学气相沈积法形成含钛黏着层之方法示意图;