| 主权项 |
1.一种以晶圆制造电子晶片元件之包装方法;包括下列步骤:将电子晶片元件制作于晶圆之基板上,电子晶片元件并呈间隔排列;将上述晶圆之电子晶片元件之间之间隔蚀刻成为长形孔槽;藉由真空压膜之设施,于已蚀刻长形孔槽之电子晶片元件之晶圆上,被覆上一层负型光阻薄膜(PhotoResist Film);将晶圆加热,使光阻薄膜紧密贴合于晶圆之电子晶片元件及长形孔槽之槽壁上;利用曝光显影的方式,将晶片中须与外电路接触之接触点露出,同时将行与行间之光阻分离,使电子元件之上下二面及侧边均被光阻保护;最后将晶圆分割成个别之电子晶片元件者。2.如申请专利范围第1项中所述之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中已蚀刻出长形孔槽之电子晶片元件系整片晶圆浸渍于装有负型光阻剂之容槽中,使晶圆完整被覆一层光阻剂。图式简单说明:第1A图至第1C图系习见电子晶片元件之制造方法之实施例示意图。第2图系本发明之此种以晶圆制造电子晶片元件之包装方法之程序图。第3图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中晶圆之示意图。第3A图系第3图中,晶圆之结构示意图。第4A与系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中真空压膜制程中,光阻薄膜紧密附着于晶圆上之示意图。第4B图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中真空压膜制程中,电子晶片元件为光阻型保护层所被覆之示图。第4C图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中真空压膜所制之电子晶片元件之结构示意图。第5A图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中整片晶圆浸渍于装有光阻剂槽中,使晶圆完整被覆一层光阻剂之示意图。第5B图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中浸渍光阻剂之电子晶片元件为光阻型保护层所被覆之示图。第5C图系本发明之以晶圆制造电子晶片元件之包装方法,其中浸渍光阻剂之电子晶片元件之结构示意图。 |
