发明名称 在介电基质上形成导体模式之方法
摘要 为了在介电基质上形成导体模式,本案提出一种方法,其中a)在覆有金属膜的基质上涂覆一层保护层,涂覆的方法是让该金属膜在含有至少一种含氮化合物的溶液中进行处理,b)在非对应将形成之传导模式的区域上,以UV射线剥除其上至少一部份的保护层,以此方式而使该金属膜外露,以及c)该外露之金属膜则接着以蚀刻法去除。藉由这种方法,可在介电基质上,以可再生方式生产相当微细的导体模式。
申请公布号 TW529324 申请公布日期 2003.04.21
申请号 TW089115135 申请日期 2000.07.28
申请人 艾托特克公司 发明人 麦克 古基摩斯;法兰滋 寇恩里
分类号 H05K3/10 主分类号 H05K3/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种在介电基质上形成传导模式之方法,在该方法中a)在一种覆有金属膜的基质上涂覆一层保护层,该保护层系藉由将金属膜放入含有至少一种含氮化合物的溶液中进行处理而得,b)在非对应将形成之传导模式的区域上,以UV射线剥除其上至少一部份的保护层,以这种方式让金属膜外露,以及c)利用蚀刻法除去外露之金属膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该传导模式系在覆有一层铜层之基质上形成。3.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于使用雷射射线做为UV射线。4.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于步骤b)方法中欲外露区域上的保护层,其系利用一种脉冲性激发雷射来除去。5.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于方法中使用一种屏蔽,其可使UV射线通过,并将传导模式复制到覆有金属膜的基质上。6.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该含氮化合物系选自包括以下以烷基、芳基与/或芳烷基取代的化合物群中:咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、咯、唑、唑、异唑、唑、苯并唑、、腺嘌呤、嘌呤、、、唑、鸟嘌呤、黄嘌呤、次黄嘌呤、唑、肌酸内醯胺、吩、铜铁灵、四唑、二唑、三唑、异唑,以及同样的衍生物,烷基中则具有至少3个碳原子。7.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该含氮化合物中包含连接逾期上的寡聚物或聚合物链,选自包括以下以烷基、芳基与/或芳烷基取代的化合物群:咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、咯、唑、唑、异唑、唑、苯并唑、、腺嘌呤、嘌呤、、、唑、鸟嘌呤、黄嘌呤、次黄嘌呤、唑、肌酸内醯胺、吩、铜铁灵、四唑、二唑、三唑、异唑,以及同样的衍生物,烷基中则具有至少3个碳原子。8.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该保护层的形成系藉由令金属层与一种含至少一个氮之化合物的酸性水溶液接触而得。9.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该用以形成保护层的溶液中含有至少一种酸,其系选自包括磷酸、硫酸、氢氯酸、亚磷酸、甲酸、乙酸、乙醇酸、草酸、丁二酸、顺丁烯二酸、酒石酸、己二酸或乳酸。10.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该保护层系利用电化学反应生成,其中当金属层与含有含氮化合物之溶液接触的同时,即在金属层与同样和溶液接触的电极之间至少施以一个间歇性电压;或是由于金属层与电极间的标准电位差,结果让金属层极化为阳极而电极则为阴极,使得金属层和电极之间有电流流通。11.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该外露之金属膜系利用硷金属蚀刻溶液予以移除。12.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于使用水平连续法来形成保护层,并除去外露之金属层。13.如申请专利范围第1与2项中任一项之方法,其特征在于该保护层系在金属膜已经移除之后再予以剥除。
地址 德国