用于低弹性模数介电质之适应热膨胀之互连

摘要

本发明利用依照热膨胀系数(CTEs)差限制和通道或装置接触相邻之互连轴长，控制不同CTEs材料间经低弹性模数绝缘体，包含通道及/或装置互连之互连架构损坏。该互连则限制剪力之发展及利用屈曲经互连窄宽度部份放松剪力，防止剪力集中在通道或装置接触附近。最好是根据互连路径直线断长度限制做为设计准则。

主权项

1.一种积体电路装置,包含:互连架构,热膨胀系数和互连架构不同之层,该互连架构和该层由弹性模数小于该层之绝缘体分隔,及以至少一通道连接,经绝缘体连接互连架构及该层,其中之互连架构在长中变更方向及依照互连及该层个别之不同热膨胀系数限制和该连接相邻之互连架构轴长。2.如申请专利范围第1项之积体电路装置,其中之互连架构包含二线段,以一角度接合。3.如申请专利范围第1项之积体电路装置,其中之互连架构为蛇形架构。4.如申请专利范围第1项之积体电路装置,其中之互连架构连接该通道架构及金属垫。5.如申请专利范围第4项之积体电路装置,包含另一通道连接将金属垫和该层连接。6.如申请专利范围第1项之积体电路装置,其中之互连架构在绝缘体层之凹处形成。7.如申请专利范围第2项之积体电路装置,其中之互连架构在绝缘体层之凹处形成。8.如申请专利范围第3项之积体电路装置,其中之互连架构在绝缘体层之凹处形成。9.如申请专利范围第4项之积体电路装置,其中之互连架构在绝缘体层之凹处形成。10.如申请专利范围第5项之积体电路装置,其中之互连架构在绝缘体层之凹处形成。图式简单说明:图1A之金属垫及互连俯视图说明本发明解决之问题,图1B是图1A架构可导致之范例损坏类型剖面图,图2A是依照本发明第一实施例之范例金属垫及互连俯视图,以及图2B是依照本发明第二实施例之范例金属垫及互连俯视图。