化学气相沉积方法

摘要

本发明提供一种具有良好特性且主要适合于闸极用氧化膜之量产之化学气相沈积(CVD)方法，系利用具有多个贯穿孔之导电性隔板部，将CVD装置之真空容器内部隔开成电浆产生空间与成膜处埋空间，在电浆产生空间所产生激发活性种仅能穿过隔板部之贯穿孔引进成膜处理空间，而由外界供应至隔板部之材料气体由电浆产生空间隔开，且透过经由成膜处理空间与多个扩散孔相通之隔板部内部空间与上述扩散孔导入成膜处理空间，利用如此导入成膜处埋空间之激发活性种与材料气体在基板上形成薄膜。藉由对基板进行成膜之第1工程，以及切断材料气体之导入并且仅对第1工程中成膜之薄膜照射激发活性种以促起氧化反应之第2工程而解决了问题。

主权项

1.一种化学气相沈积(CVD)方法,系在真空容器内产生电浆俾发生激发活性种,并以该激发活性种与材料气体在基板上形成薄膜,其特征为:CVD装置之真空容器内部藉由导电性隔板部隔开为两室,该被隔开为两室之中,一室之内部形成为配置有高频电极之电浆产生空间,另一室之内部形成配置有用于载置基板之基板保持机构之成膜处理空间,上述导电性隔板部利用拥有具有连通上述电浆产生空间与成膜处理空间之多个贯穿孔且由上述电浆产生空间隔开且透过多个扩散孔与上述成膜处理空间连通之内部空间之CVD装置,将由外部供应至上述导电性隔板部之内部空间之材料气体透过上述多个扩散孔导入上述成膜处理空间,并藉由对上述高频电极施加高频电力俾在上述电浆产生空间发生电浆放电,将在上述电浆产生空间所产生之激发活性种通过上述导电性隔板部之多个贯穿孔导入上述成膜处理空间,在上述成膜处理空间中,将被导入之上述激发活性种与材料气体进行对基板形成薄膜之CVD方法系由被导入上述成膜处理空间之激发活性种与材料气体对基板形成薄膜之第1工程,以及将由外界供应至上述导电性隔板部之内部空间之材料气体之流量设定为零,并对上述第1工程所形成之薄膜进行通过导电性隔板部之多个贯穿孔而导入成膜处理空间之激发活性种之照射之第2工程所构成。2.如申请专利范围第1项之化学气相沈积方法,其中CVD装置之多个实穿孔在构造上可以满足uL/D>1之条件,其中当贯穿孔内之气体流速为u,实质上之贯穿孔长度为L,而气体相互扩散系数为D。图式简单说明:第1图为表示适用本发明之CVD方法之CVD装置之第1实施形态之纵剖面图。第2图为表示适用本发明之CVD方法之CVD装置之第2实施形态之纵剖面图。第3图为由适用本发明之CVD方法之CVD装置隔板部之剖面方向所见之内部构造之概略扩大图。第4图(a)~(c)为本发明之CVD方法之时间图(time chart),(a)为表示高频电力与处理时间之关系之时间图,(b)为表示氧输入量与处理时间之关系之时间图,(c)为表示矽烷导入量与处理时间之关系之时间图。