| 发明名称 |
Speicherzellenanordnung mit streifenförmigen, parallel verlaufenden Gräben und vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19609678(C2) |
申请公布日期 |
2003.04.17 |
| 申请号 |
DE19961009678 |
申请日期 |
1996.03.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOFMANN, FRANZ;WILLER, JOSEPH;KRAUTSCHNEIDER, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L21/8246;H01L27/112;(IPC1-7):H01L27/112;H01L21/824;G11C17/10 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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