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<p>Es wird ein Verfahren zur Verbindung einer Siliziumplatte (1) mit einer weiteren Platte (2) vorgeschlagen, wobei durch die Siliziumplatte (1) hindurch ein Laserstrahl auf die weitere Platte (2) gerichtet wird. Die Wellenlänge des Laserstrahles ist dabei so ausgewählt, dass nur eine vernachlässigbar geringe Energiemenge in der Siliziumplatte (1) absorbiert wird. Durch die Energie des Laserstrahles wird ein stark absorbierendes Material aufgeschmolzen, welches dann eine Verbindung zwischen der Siliziumplatte (1) und der weiteren Platte (2) herstellt.</p> |
