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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, bei dem wenigstens eine erste Schicht (B) aufgebracht wird, diese unter Verwendung einer maskierenden Schicht (D) geätzt wird, so dass Fences (F, F') entstehen und bei dem nach Entfernen der maskierenden Schicht (D) und Aufbringen einer Hilfsschicht (E) die Hilfsschicht (E) und die Fences (F, F') gemeinsam abgetragen werden bis auf ein gegebenes Maß der Hilfsschicht (E). Die vorliegende Erfindung betrifft weiter eine Verwendung dieses Verfahrens zum Herstellen von Spacern einer Halbleiterstruktur.
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