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<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung einer hate-Struktur für einen MOS-Transistor wird zunächst eine Schichtfolge aus Oxidschicht (4), Hilfsschicht (6) und Maskenschicht (8) auf einem Substrat (2) erzeugt, wobei die Hilfsschicht (6) und die Maskenschicht (8) strukturiert sind, um eine Kante festzulegen, die einen von diesen Schichten bedeckten Bereich der Oxidschicht (4) von einem freiliegenden Bereich derselben trennt. Nachfolgend wird eine Oxidation durchgeführt, um eine Oxidrampe (12) im Bereich der Kante zu erzeugen. Die Hilfsschicht (6) wird dann teilweise entfernt, um einen Hohlraum vorbestimmter Länge zwischen der Oxidschicht (4) und der Maskenschicht (8) zu erzeugen. Ein Gateelektrodenmaterial wird zum Erzeugen einer Gateelektrode (18) in den Hohlraum eingebracht.</p> |
