发明名称 Verfahren für die Herstellung von Halbleitern
摘要 Es wird ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterkapselung und das Kapselungselement offenbart. Eine Schicht aus Kupfer (2) wird auf einem dicken wärmebeständigen Band (1) ausgebildet, wobei die Oberfläche der Kupferschicht (2) mit einem lichtempfindlichen Photoresist (3) beschichtet wird. Eine Lichtquelle wird über ein vorgeferigtes Schaltungsnegativ, das auf der Kupferschicht (2) ausgebildet worden ist, auf den Photoresist (3) gerichtet, der auf der Oberfläche der Kupferschicht (2) gehalten wird. Es wird ein Ätzschritt durchgeführt, um eine Kupferverdrahtung (5) mit dem Schaltbild zu erhalten. Anschließend wird ein Draht-Bonding- oder ein Flip-Chip-Verfahren verwendet, um die Kupferdrahtschaltung (5) mit dem Chip (6) zu verbinden (62).
申请公布号 DE10221408(A1) 申请公布日期 2003.04.17
申请号 DE2002121408 申请日期 2002.05.14
申请人 ORIENT SEMICONDUCTOR ELECTRONICS LTD., KAOHSIUNG 发明人 SHIEH, WEN LO;CHEN, HUI PIN;HUANG, NING;CHIANG, HUA WEN;CHANG, CHUNG MING;TU, FENG CHANG;HUANG, FU YU;CHANG, HSUAN JUI;HU, CHIA CHIEH;LEU, WEN LONG
分类号 H01L23/12;H01L21/56;H01L21/68;H01L23/31 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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