摘要 |
Es wird ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterkapselung und das Kapselungselement offenbart. Eine Schicht aus Kupfer (2) wird auf einem dicken wärmebeständigen Band (1) ausgebildet, wobei die Oberfläche der Kupferschicht (2) mit einem lichtempfindlichen Photoresist (3) beschichtet wird. Eine Lichtquelle wird über ein vorgeferigtes Schaltungsnegativ, das auf der Kupferschicht (2) ausgebildet worden ist, auf den Photoresist (3) gerichtet, der auf der Oberfläche der Kupferschicht (2) gehalten wird. Es wird ein Ätzschritt durchgeführt, um eine Kupferverdrahtung (5) mit dem Schaltbild zu erhalten. Anschließend wird ein Draht-Bonding- oder ein Flip-Chip-Verfahren verwendet, um die Kupferdrahtschaltung (5) mit dem Chip (6) zu verbinden (62). |
申请人 |
ORIENT SEMICONDUCTOR ELECTRONICS LTD., KAOHSIUNG |
发明人 |
SHIEH, WEN LO;CHEN, HUI PIN;HUANG, NING;CHIANG, HUA WEN;CHANG, CHUNG MING;TU, FENG CHANG;HUANG, FU YU;CHANG, HSUAN JUI;HU, CHIA CHIEH;LEU, WEN LONG |